Транзистор MOSFET SKD502T SkySilicon, N-канальный, 85 В, 120 А, 4,6 мОм, TO-220

⚡ SKD502T — мощный N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением стик-виток 85 В и низким сопротивлением открытого канала.

Предназначен для работы в силовых импульсных кругах, контроллерах электродвигателей, системах управления аккумуляторами, источниках бесперебойного питания и преобразователях напряжения.

Корпус TO-220 позволяет устанавливать транзистор на радиатор. Для полного открывания используется управление затвором около 10 В.

⚙️ Основные характеристики

🔌 Распиновка

Если смотреть на маркировку транзистора, держа выводы вниз:

1. G — Gate, затвор;
2. D — Drain, сток;
3. S — Source, утечка.

Металлическая тепловая пластина корпуса электрическо соединена со стоком Drain.

✅ Преимущества

• низкое сопротивление открытого канала;
• напряжение стик-вилка до 85 В;
• высокий допустимый ток;
• небольшие потери проводимости;
• корпус TO-220 для монтажа на радиатор;
• пригодность к импульсного управления;
• лавинная устойчивость;
• подходит для ремонта силовых контроллеров.

💡 Применение

MOSFET SKD502T используется в:

• контроллерах электровелосипедов и электросамокатов;
• драйверах BLDC-двигателей;
• системах управления аккумуляторами BMS;
• инвертрорах и преобразователях;
• источниках бесперебойного питания;
• мощных импульсных блоках питания;
• коммутационных силовых каскадах;
• автомобильной и промышленной электронике.

🔁 Аналоговы и замены

Ближнейшей версией по электрическим параметрам является:

• SKSS055N08N — сродная SMD-модификация в корпусе TO-263; не является механически совместимой заменой.

Как возможны замены в корпусе TO-220 могут рассматриваться:

• IRFB4110 — 100 В, низкий RDS(on), но имеет другой заряд затвора;
• IPP023N10N5 — 100 В, низкое сопротивление каналу;
• другие N-MOSFET с напряжением от 85 В, достаточным током и корпусом TO-220.

Замена не определяется только значениями напряжения и тока. Необходимо также сравнивать:

• распиновку;
• максимальное напряжение VDS;
• RDS(on) именно при доступном напряжении затвора;
• заряд затвора Qg
• допустимую мощность;
• тепловое сопротивление;
• характеристики встроенного диода;
• частоту переключения и параметры драйвера.

Транзистори на 80 В не является полноценной заменой SKD502T в схемах, где напряжение может подходить к 85 В.

⚠️ Важно

Заявлений струм 120А досягаем только при специальных лабораторных условиях: при низкой температуре корпуса, надлежащем охлаждении и достаточном сечении проводников. В реальном устройстве допустимый ток зависит от радиатора, температуры, монтажа, режима переключения и площади дорожек платы.

Пороговое напряжение 2–4 В не означает полного открывания транзистора. Низкий RDS(on) нормализуется при VGS = 10 Впоэтому SKD502T не следует считать MOSFET логического уровня без дополнительной проверки режима.

При установке на совместный радиатор используйте электроизоляционную прокладку, если пластины других компонентов не должны быть соединены со стоком.

Перед заменой проверьте исправность драйвера затвора, резисторы управления и других транзисторов силового каскада.

📦 Комплектация

• 1 × MOSFET-транзистор SKD502T в корпусе TO-220.