Транзистор 80R900P MMF80R900PTH N-MOSFET 850В 6А 0.9Ω TO-220F MagnaChip
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
80R900P (MMF80R900PTH) — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET производства MagnaChip Semiconductor, изготовленный по технологии Super Junction.
Транзистор рассчитан на использование в высоковольтных импульсных схемах: блоках питания, PFC-корректорах, адаптерах, DC-DC преобразователях и других импульсных устройствах. Производитель отмечает низкие потери при переключении, небольшой заряд затвора и низкий уровень EMI.
Основные характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Полное обозначение | MMF80R900PTH |
| Маркировка | 80R900P |
| Тип | N-channel MOSFET |
| Технология | Super Junction |
| VDS | 800 В номинально |
| VDS при Tj max | 850 В |
| ID | 6 А |
| RDS(on) max | 0.9 Ω |
| VGS(th) typ | 3 В |
| Qg typ | 17.6 нКл |
| Корпус | TO-220F |
| Рабочая температура | −55…+150 °C |
| Выводы | 1-Gate, 2-Drain, 3-Source |
Эти параметры приведены в актуальной дате MagnaChip.
Применение
Подходит для ремонта и изготовления импульсных блоков питания, PFC, телевизоров, мониторов, адаптеров питания, DC-DC преобразователей и другой силовой импульсной электроники. PFC, switching applications и adapters прямо указанные производителем.
Маркировка на корпусе
80R900P
Полный заводской номер: MMF80R900PTH.
Аналоги / заменители
Самый интересный вариант - Infineon IPA80R900P7: также N-MOSFET 800 В, 6 А, 0.9 Ω, изолированный FullPAK корпус TO-220. По ключевым параметрам очень близок, но перед заменой все равно стоит проверять параметры конкретной схемы.
Также встречается U80R900P / MMFU80R900PTH — вариант той же серии MagnaChip с теми же основными параметрами; в документации указан как UL-сертифицирована версия.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Magna |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Наличие | в наличии |
- Цена: 56 ₴