MDF11N60 — высоковольтный силовой N-канальный MOSFET производства MagnaChip Semiconductor, предназначен для работы в импульсных источниках питания, PFC-корректорах, инверторах и других высоковольтных импульсных схемах.

Транзистор рассчитан на напряжение Drain-Source до 600 В и постоянный ток стока до 11 А. Максимальное сопротивление открытого канала RDS(on) — 0.55 Ом при VGS = 10 В.

Основные характеристики

• Маркировка: MDF11N60
• Производитель: MagnaChip
• Тип: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение Drain-Source (VDS): 600 В
• VDS при максимальной температуре перехода: 660 В
• Постоянный ток стока ID: 11 А при TC = 25°C
• ID при TC = 100°C: 6,9 А
• Импульсный ток IDM: 44А
• RDS(on): до 0.55 Ом
• Напряжение управления для RDS(on): VGS = 10 В
• Порогова напруга VGS(th): 3–5 В
• Максимальная VGS: ±30 В
• Максимальная мощность рассеивания: 49 Вт
• Avalanche Energy EAS: 720 мДж
• Total Gate Charge Qg: ≈38,4 нКл
• Рабочая температура: −55…+150°C
• Корпус: TO-220F, изолированный

Характеристики приведены по документации производителя MagnaChip.

Распиновка

Для MDF11N60:

1 — Gate (G)
2 — Drain (D)
3 — Source (S)

Применение

• импульсные блоки питания (SMPS);
• PFC-корректоры;
• телевизоры и мониторы;
• сетевые преобразователи;
• инверторы;
• высоковольтные импульсные схемы;
• ремонт блоков питания бытовой и промышленной электроники.

Маркировка на корпусе

Основная маркировка:

MDF11N60

Дополнительные символы на корпусе могут обозначать дату, партию и производственную площадку и не являются частью модели транзистора.

Аналоги / заменители

При подборе замены необходим N-канальный MOSFET не менее 600 В, с током не менее 11 А и соответствующим корпусом/распиновкой.

Как возможные заменители в зависимости от конкретной схемы можно рассматривать:

11N60, 11N60C, 12N60, 12N60C, FQPF11N60C, STF11N60M2, MDF13N60B.

При замене необходимо учитывать не только VDS и ID, но и RDS (on), заряд затвора Qg, быстродействие и тип корпуса.

Комплектация

• Транзистор MDF11N60 — 1 шт.