⚡ MDF10N65B — высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор производства MagnaChip Semiconductor, предназначен для импульсных блоков питания, PFC-корректоров, преобразователей напряжения и высокоскоростной коммутации нагрузки.

Транзистор выдерживает напряжение сток утечки до 650 В, постоянный ток стока до 10 А и импульсный ток до 40А. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 1 Ом при напряжении затвор-вытек 10 В.

🔗 Официальный даташит MagnaChip MDF10N65B

⚙️ Основные характеристики

Основные параметры 650 В, 10 А и RDS(on) ≤ 1 Ом подтверждены документацией MagnaChip. Значение максимального тока и мощности достигается только при определенных производителях температурных условий и должном охлаждении.

🔌 Распиновка

Если смотреть на транзистор спереди, маркировкой к себе, выводами вниз:

1. G — Gate, затвор
2. D — Drain, сток
3. S — Source, утечка

🛠️ Применение

• импульсные блоки питания;
• блоки питания телевизоров и мониторов;
• источники питания бытовой техники;
• PFC-корректоры коэффициента мощности;
• инверторы;
• DC-DC и AC-DC преобразователи;
• электронные балансы;
• сварочные инверторы;
• высоковольтные коммутационные схемы;
• ремонт силовых плат.

✅ Преимущества

• рабочее напряжение до 650 В;
• ток стока до 10 А;
• импульсный ток до 40 А;
• высокоскоростное переключение;
• лавинная устойчивость;
• встроенный обратный диод;
• изолированный корпус TO-220F;
• не требует отдельной изоляционной прокладки между корпусом и радиатором;
• подходит для импульсных источников питания и PFC.

🔁 Аналоговые и совместимые обозначения

Возможны аналоги с похожими основными параметрами:

• STF10N65K3
• FQPF10N65C
• SVF10N65
• 10N65 в корпусе TO-220F
• MDF10N65BTH — полное заказное обозначение данной модели

⚠️ Аналоги нельзя подбирать только по надписью 10N65. Перед заменой нужно сверить:

• напряжение VDS не менее 650 В;
• допустимый ток;
• RDS(on);
• заряд затвора;
• скорость переключения;
• распиновку G-D-S;
• корпус TO-220F;
• характеристики внутреннего диода;
• мощность рассеивания.

Обычный транзистор в корпусе TO-220 с открытой металлической пластиной может требовать изоляционной прокладки и втулки под винт.

⚠️ Важно

Заявлений струм 10 А соответствует температуре корпуса 25°С и предусматривает эффективный отвод тепла. При температуре корпуса 100 °C допустим постоянный ток уменьшается до 5 А.

Корпус TO-220F электрически изолированный, но имеет большее тепловое сопротивление, чем стандартный TO-220. Для работы с большой мощностью транзистор необходимо устанавливать на соответствующий радиатор.

Пороговое напряжение затвора 2-4 В не означает полного открывания транзистора. Норменное значение RDS(on) введено при VGS = 10 В, поэтому MDF10N65B не является логоуровневым MOSFET для прямого управления от 3.3 или 5 В.

📦 Комплектация

• 1 × MOSFET-транзистор MDF10N65B;
• корпус TO-220F.