Транзистор MOSFET SKD502T SkySilicon, N-канальний, 85 В, 120 А, 4,6 мОм, TO-220

⚡ SKD502T — потужний N-канальний MOSFET-транзистор із максимальною напругою стік–витік 85 В та низьким опором відкритого каналу.

Призначений для роботи у силових імпульсних колах, контролерах електродвигунів, системах керування акумуляторами, джерелах безперебійного живлення та перетворювачах напруги.

Корпус TO-220 дає змогу встановлювати транзистор на радіатор. Для повного відкривання використовується керування затвором приблизно 10 В.

⚙️ Основні характеристики

🔌 Розпіновка

Якщо дивитися на маркування транзистора, тримаючи виводи донизу:

1. G — Gate, затвор;
2. D — Drain, стік;
3. S — Source, витік.

Металева теплова пластина корпусу електрично з’єднана зі стоком Drain.

✅ Переваги

• низький опір відкритого каналу;
• напруга стік–витік до 85 В;
• високий допустимий струм;
• невеликі втрати провідності;
• корпус TO-220 для монтажу на радіатор;
• придатність до імпульсного керування;
• лавинна стійкість;
• підходить для ремонту силових контролерів.

💡 Застосування

MOSFET SKD502T використовується у:

• контролерах електровелосипедів і електросамокатів;
• драйверах BLDC-двигунів;
• системах керування акумуляторами BMS;
• інверторах і перетворювачах;
• джерелах безперебійного живлення;
• потужних імпульсних блоках живлення;
• комутаційних силових каскадах;
• автомобільній і промисловій електроніці.

🔁 Аналоги та заміни

Найближчою версією за електричними параметрами є:

• SKSS055N08N — споріднена SMD-модифікація у корпусі TO-263; не є механічно сумісною заміною.

Як можливі заміни у корпусі TO-220 можуть розглядатися:

• IRFB4110 — 100 В, низький RDS(on), але має інший заряд затвора;
• IPP023N10N5 — 100 В, низький опір каналу;
• інші N-MOSFET із напругою від 85 В, достатнім струмом і корпусом TO-220.

Заміна не визначається лише значеннями напруги та струму. Необхідно також порівнювати:

• розпіновку;
• максимальну напругу VDS;
• RDS(on) саме при доступній напрузі затвора;
• заряд затвора Qg;
• допустиму потужність;
• тепловий опір;
• характеристики вбудованого діода;
• частоту перемикання та параметри драйвера.

Транзистори на 80 В не є повноцінною заміною SKD502T у схемах, де напруга може наближатися до 85 В.

⚠️ Важливо

Заявлений струм 120 А досяжний лише за спеціальних лабораторних умов: при низькій температурі корпусу, належному охолодженні та достатньому перерізі провідників. У реальному пристрої допустимий струм залежить від радіатора, температури, монтажу, режиму перемикання та площі доріжок плати.

Порогова напруга 2–4 В не означає повного відкривання транзистора. Низький RDS(on) нормується при VGS = 10 В, тому SKD502T не слід вважати MOSFET логічного рівня без додаткової перевірки режиму.

Під час установлення на спільний радіатор використовуйте електроізоляційну прокладку, якщо пластини інших компонентів не повинні бути з’єднані зі стоком.

Перед заміною перевірте справність драйвера затвора, резисторів керування та інших транзисторів силового каскаду.

📦 Комплектація

• 1 × MOSFET-транзистор SKD502T у корпусі TO-220.