Транзистор 80R900P MMF80R900PTH N-MOSFET 850В 6А 0.9Ω TO-220F MagnaChip
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
80R900P (MMF80R900PTH) — високовольтний N-канальний силовий MOSFET виробництва MagnaChip Semiconductor, виготовлений за технологією Super Junction.
Транзистор розрахований на використання у високовольтних імпульсних схемах: блоках живлення, PFC-коректорах, адаптерах, DC-DC перетворювачах та інших імпульсних пристроях. Виробник відзначає низькі втрати при перемиканні, невеликий заряд затвора та низький рівень EMI.
Основні характеристики
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повне позначення | MMF80R900PTH |
| Маркування | 80R900P |
| Тип | N-channel MOSFET |
| Технологія | Super Junction |
| VDS | 800 В номінально |
| VDS при Tj max | 850 В |
| ID | 6 А |
| RDS(on) max | 0.9 Ω |
| VGS(th) typ | 3 В |
| Qg typ | 17.6 нКл |
| Корпус | TO-220F |
| Робоча температура | −55…+150 °C |
| Виводи | 1-Gate, 2-Drain, 3-Source |
Ці параметри наведені в актуальному даташиті MagnaChip.
Застосування
Підходить для ремонту та виготовлення імпульсних блоків живлення, PFC, телевізорів, моніторів, адаптерів живлення, DC-DC перетворювачів та іншої силової імпульсної електроніки. PFC, switching applications та adapters прямо зазначені виробником.
Маркування на корпусі
80R900P
Повний заводський номер: MMF80R900PTH.
Аналоги / замінники
Найцікавіший варіант — Infineon IPA80R900P7: також N-MOSFET 800 В, 6 А, 0.9 Ω, ізольований FullPAK-корпус TO-220. За ключовими параметрами дуже близький, але перед заміною все одно варто перевіряти параметри конкретної схеми.
Також зустрічається U80R900P / MMFU80R900PTH — варіант тієї ж серії MagnaChip із тими самими основними параметрами; у документації вказаний як UL-сертифікована версія.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Magna |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Наявність | в наявності |
- Ціна: 56 ₴