Транзистор IRF1010EPBF N-канал 60V 84A 12mΩ TO-220 оригінал Infineon

⚡ IRF1010EPBF — потужний N-канальний MOSFET серії HEXFET® виробництва Infineon Technologies (International Rectifier). Транзистор розрахований на напругу 60 В та струм до 84 А і має дуже низький опір відкритого каналу — всього 12 мΩ при керуванні затвором 10 В.

Це потужний MOSFET для застосувань, де потрібні великий струм, низькі втрати та висока надійність: контролери двигунів, інвертори, імпульсні перетворювачі, блоки живлення, системи живлення від акумуляторів та силова електроніка.

⚠️ Важливе уточнення щодо корпусу: для IRF1010EPBF офіційна документація Infineon вказує TO-220AB / TO-220-3, а не ізольований TO-220F. Якщо у вас саме версія з ізольованим корпусом TO-220F, це вже інша модифікація і її потрібно перевіряти окремо.

🔧 Основні переваги

• Оригінальний IRF1010EPBF
• N-канальний силовий MOSFET
• максимальна напруга 60 В
• струм стоку до 84 А
• дуже низький RDS(on) — 12 мΩ
• швидке перемикання
• широкий діапазон робочих температур
• висока стійкість до лавинного пробою
• стандартний корпус TO-220AB
• зручний монтаж на радіатор
• стандартне розташування виводів для силових MOSFET

⚙️ Технічні характеристики

• Модель: IRF1010EPBF
• Виробник: Infineon Technologies / International Rectifier
• Серія: HEXFET®
• Тип: N-Channel MOSFET
• Напруга стік-витік VDS: 60 В
• Безперервний струм стоку ID: 84 А при 25°C
• Струм стоку при 100°C: 59 А
• Імпульсний струм IDM: 330 А
• RDS(on): 12 мΩ max.
• умови RDS(on): VGS = 10 В, ID = 50 А
• Максимальна напруга затвор-витік VGS: ±20 В
• Заряд затвора Qg: близько 130 нКл
• Порогова напруга VGS(th): 2–4 В
• Максимальна потужність розсіювання: 200 Вт
• Максимальна температура переходу: 175°C
• Діапазон температур: -55…+175°C
• Корпус: TO-220AB / TO-220-3
• Монтаж: THT
• Кількість виводів: 3

📌 Розпіновка

При вигляді на лицьову сторону корпусу, де видно маркування:

1 — G (Gate)
2 — D (Drain)
3 — S (Source)

Металева монтажна площадка корпуса також електрично з'єднана зі стоком D.

⚠️ При встановленні на спільний металевий радіатор необхідно враховувати, що корпус TO-220AB не ізольований від стоку. Якщо декілька транзисторів встановлюються на один радіатор, може знадобитися ізоляційна прокладка.

🔥 Втрати та низький RDS(on)

Одна з головних переваг IRF1010EPBF — дуже низький опір відкритого каналу 12 мΩ. Це дозволяє зменшити втрати на MOSFET при великих струмах.

Наприклад, при струмі 50 А теоретичні провідникові втрати за номінальним RDS(on) становлять близько 30 Вт. Фактичні втрати залежать від температури кристала, режиму керування затвором, частоти перемикання та реального RDS(on).

Тому при роботі з великими струмами радіатор та правильне охолодження є обов'язковими.

🛠️ Застосування

IRF1010EPBF добре підходить для:

• контролерів електродвигунів;
• електротранспорту;
• електросамокатів та іншої силової електроніки;
• інверторів;
• DC-DC перетворювачів;
• імпульсних блоків живлення;
• систем живлення від акумуляторів;
• зарядних пристроїв;
• силових ключів;
• PWM-керування навантаженням;
• автомобільної електроніки;
• промислової автоматики;
• систем керування двигунами;
• DIY-проєктів.

Infineon прямо відносить сімейство IR MOSFET до застосувань у DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches та battery powered applications.

🔄 Аналоги та можливі заміни

Для точної заміни найкращим варіантом є той самий IRF1010EPBF.

Серед близьких за призначенням MOSFET можна зустріти:

• IRF1010E
• IRF1010
• IRF1018EPBF
• IRF1405PBF
• IRF3205PBF

Але ⚠️ це не означає автоматичну взаємозамінність.

Наприклад, IRF1405 та IRF3205 мають максимальну напругу лише 55 В, тоді як IRF1010EPBF розрахований на 60 В. Тому для схем, де напруга близька до 55–60 В, такі заміни можуть бути неприйнятними.

📄 Інформація з даташиту

За даними Infineon, IRF1010EPBF має:

• VDS = 60 В
• ID = 84 А при 25°C
• RDS(on) = 12 мΩ
• QG = близько 130 нКл
• VGS max = ±20 В
• TJ = -55…+175°C
• Ptot = 200 Вт
• лавинний режим
• динамічний рейтинг dv/dt
• швидке перемикання.

Офіційна сторінка Infineon зараз позначає IRF1010E як "not for new design", однак модель IRF1010EPBF залишається ідентифікованим артикулом Infineon.

📦 Комплектація

• Транзистор IRF1010EPBF — 1 шт.