MDF11N60 — високовольтний силовий N-канальний MOSFET виробництва MagnaChip Semiconductor, призначений для роботи в імпульсних джерелах живлення, PFC-коректорах, інверторах та інших високовольтних імпульсних схемах.

Транзистор розрахований на напругу Drain-Source до 600 В та постійний струм стоку до 11 А. Максимальний опір відкритого каналу RDS(on) — 0,55 Ом при VGS = 10 В.

Основні характеристики

• Маркування: MDF11N60
• Виробник: MagnaChip
• Тип: N-Channel MOSFET
• Максимальна напруга Drain-Source (VDS): 600 В
• VDS при максимальній температурі переходу: 660 В
• Постійний струм стоку ID: 11 А при TC = 25°C
• ID при TC = 100°C: 6,9 А
• Імпульсний струм IDM: 44 А
• RDS(on): до 0,55 Ом
• Напруга керування для RDS(on): VGS = 10 В
• Порогова напруга VGS(th): 3–5 В
• Максимальна VGS: ±30 В
• Максимальна потужність розсіювання: 49 Вт
• Avalanche Energy EAS: 720 мДж
• Total Gate Charge Qg: ≈38,4 нКл
• Робоча температура: −55…+150°C
• Корпус: TO-220F, ізольований

Характеристики наведені за документацією виробника MagnaChip.

Розпіновка

Для MDF11N60:

1 — Gate (G)
2 — Drain (D)
3 — Source (S)

Застосування

• імпульсні блоки живлення (SMPS);
• PFC-коректори;
• телевізори та монітори;
• мережеві перетворювачі;
• інвертори;
• високовольтні імпульсні схеми;
• ремонт блоків живлення побутової та промислової електроніки.

Маркування на корпусі

Основне маркування:

MDF11N60

Додаткові символи на корпусі можуть позначати дату, партію та виробничий майданчик і не є частиною моделі транзистора.

Аналоги / замінники

При підборі заміни необхідний N-канальний MOSFET не менше 600 В, зі струмом не менше 11 А та відповідним корпусом/розпіновкою.

Як можливі замінники залежно від конкретної схеми можна розглядати:

11N60, 11N60C, 12N60, 12N60C, FQPF11N60C, STF11N60M2, MDF13N60B.

При заміні необхідно враховувати не тільки VDS та ID, але й RDS(on), заряд затвора Qg, швидкодію та тип корпуса.

Комплектація

• Транзистор MDF11N60 — 1 шт.