⚡ MDF10N65B — високовольтний N-канальний MOSFET-транзистор виробництва MagnaChip Semiconductor, призначений для імпульсних блоків живлення, PFC-коректорів, перетворювачів напруги та високошвидкісної комутації навантаження.

Транзистор витримує напругу стік-витік до 650 В, постійний струм стоку до 10 А та імпульсний струм до 40 А. Максимальний опір відкритого каналу становить 1 Ом при напрузі затвор-витік 10 В.

🔗 Офіційний даташит MagnaChip MDF10N65B

⚙️ Основні характеристики

Основні параметри 650 В, 10 А та RDS(on) ≤ 1 Ом підтверджені документацією MagnaChip. Значення максимального струму та потужності досягаються лише за визначених виробником температурних умов і належного охолодження.

🔌 Розпіновка

Якщо дивитися на транзистор спереду, маркуванням до себе, виводами вниз:

1. G — Gate, затвор
2. D — Drain, стік
3. S — Source, витік

🛠️ Застосування

• імпульсні блоки живлення;
• блоки живлення телевізорів і моніторів;
• джерела живлення побутової техніки;
• PFC-коректори коефіцієнта потужності;
• інвертори;
• DC-DC та AC-DC перетворювачі;
• електронні баласти;
• зварювальні інвертори;
• високовольтні комутаційні схеми;
• ремонт силових плат.

✅ Переваги

• робоча напруга до 650 В;
• струм стоку до 10 А;
• імпульсний струм до 40 А;
• високошвидкісне перемикання;
• лавинна стійкість;
• вбудований зворотний діод;
• ізольований корпус TO-220F;
• не потребує окремої ізоляційної прокладки між корпусом і радіатором;
• підходить для імпульсних джерел живлення та PFC.

🔁 Аналоги та сумісні позначення

Можливі аналоги зі схожими основними параметрами:

• STF10N65K3
• FQPF10N65C
• SVF10N65
• 10N65 у корпусі TO-220F
• MDF10N65BTH — повне замовне позначення цієї моделі

⚠️ Аналоги не можна підбирати лише за написом 10N65. Перед заміною потрібно звірити:

• напругу VDS не менше 650 В;
• допустимий струм;
• RDS(on);
• заряд затвора;
• швидкість перемикання;
• розпіновку G-D-S;
• корпус TO-220F;
• характеристики внутрішнього діода;
• потужність розсіювання.

Звичайний транзистор у корпусі TO-220 із відкритою металевою пластиною може вимагати ізоляційної прокладки та втулки під гвинт.

⚠️ Важливо

Заявлений струм 10 А відповідає температурі корпусу 25 °C і передбачає ефективне відведення тепла. За температури корпусу 100 °C допустимий постійний струм зменшується до 5 А.

Корпус TO-220F електрично ізольований, але має більший тепловий опір, ніж стандартний TO-220. Для роботи з великою потужністю транзистор необхідно встановлювати на відповідний радіатор.

Порогова напруга затвора 2–4 В не означає повного відкривання транзистора. Нормоване значення RDS(on) вказане при VGS = 10 В, тому MDF10N65B не є логічнорівневим MOSFET для прямого керування від 3,3 або 5 В.

📦 Комплектація

• 1 × MOSFET-транзистор MDF10N65B;
• корпус TO-220F.